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반도체 테스트 공정, 6분만에 이해시켜드립니다!!

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[반도체 특강] 테스트(Test), 반도체의 멀티 플레이어

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진종문 교사

SK하이닉스의 다채로운 이미지와 영상을 소개합니다

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Most searched keywords: Whether you are looking for 반도체 TEST공정 :: 코딩게임 반도체 테스트는 불량칩을 골라내고 앞서 진행한 공정을 점검/개선하는 것이다. 해당 과정에서 다음 공정으로 불량 칩이 넘어가지 못하게 하는 선별률( … TEST 공정 #시작하며 반도체 후공정에서 이뤄지는 TEST란, 전기적 특성 검사를 통해 칩의 불량이 다음 공정으로 넘어가지 않도록 방지함으로써 손실을 최소화하는 과정이다. 현재 신뢰성 불량을 사전 차단하고, 수..윤현진 @ HGU CSEE #16
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[반도체 특강] 테스트(Test), 반도체의 멀티 플레이어

반도체 후공정에서 이뤄지는 테스트(Test)란, 전기적 특성(Electrical Characteristics) 검사를 통해 칩(Chip)의 불량이 다음 공정으로 넘어가지 않도록 방지함으로써 손실을 최소화하는 과정입니다. 초창기의 테스트는 양산 제품에 대해 불량(영구적 오류)을 걸러내는 필터링 위주로 진행했습니다. 하지만 현재는 신뢰성 불량을 사전 차단하고, 수율을 향상시켜 원가 절감에 기여하며, 제품의 연구∙개발에 도움을 주는 등 그 역할이 점차 확대되고 있지요. 이번 장에서는 반도체의 멀티 플레이어, 테스트 공정에 대해 자세히 살펴보도록 하겠습니다.

1. 반도체 테스트 공정 Flow

<그림1> 반도체 테스트 공정 흐름도

수많은 공정을 거쳐 제작된 반도체는 각 공정이 제대로 수행됐는지 검증하기 위해 상온(섭씨 25도)에서 테스트를 진행합니다. 테스트는 크게 Wafer Test, Package Test, Module Test로 이뤄집니다.

고온과 저온에서 실시하는 신뢰성의 일종인 Burn-in/Temp Cycling 공정의 경우, 초창기에는 Package Test 공정에서만 실시했는데요, 점차 Wafer Test 공정의 중요성이 높아짐에 따라 Package Burn-in 항목이 다수 WBI(Wafer Burn-in)으로 옮겨졌습니다. 또한, 테스트와 Burn-in을 결합한 TDBI(Test During Burn-in) 개념으로 Burn-in을 진행함에 따라, 정식 테스트를 Burn-in 전후에 실시하는 복합형도 많이 활용되는 추세입니다. 이렇게 되면 공정 시간과 비용을 절약할 수 있게 되겠지요. Module Test에서는 PCB(Printed Circuit Board)와 칩의 연관 관계를 점검하기 위해 상온에서 DC(Direct Current, 직류 전류/전압) / Function(기능) 테스트를 진행한 뒤, Burn-in 대신 실제 고객 환경에서 칩을 동작해보는 실장 테스트를 진행하지요.

2. 반도체 테스트의 목적

<그림2> 반도체 테스트의 목적

반도체 테스트의 목적은 불량 칩을 골라내고, 앞서 진행했던 공정들을 점검해 개선하는 것입니다. 이 과정에서 다음 공정으로 불량 칩이 넘어가지 못하게 하는 선별률(Screenability)은 항상 중요한 이슈입니다. 따라서 Wafer Test는 불량 칩이 불필요하게 패키징(Packaging)되는 것을 방지해 원가를 절감하고, 나아가 수익성을 향상시키는 것이 목표이지요. Package Test는 불량 제품이 출하되는 것을 막아 고품질의 반도체를 고객에게 납품하기 위함입니다. 또한, 양품이 고객에게 전달된 이후에도 칩에 동작 오류(Fault)가 발생할 수 있는데, 유저가 일정 기간 칩을 오류 없이 안전하게 사용할 수 있도록 제조 과정에서 약한 칩을 미리 골라내어(제품의 전체 생존 기간 중 초창기/중기 불량을 선별) 신뢰성(Reliability)을 확보하는 것이 매우 중요합니다. 이렇게 진행된 테스트 결과(Performance)는 내부적인 피드백을 통해 공정을 개선하거나, 반도체 기술 및 제품의 연구∙개발에도 적극 활용되고 있습니다.

3. 반도체 테스트(공정 측면): Wafer Test / Package Test / Module Test

<그림3> 반도체 테스트의 종류 @양산단계

반도체 테스트는 공정 Step 관점에서는 Wafer Test, Package Test, Module Test로 구분할 수 있으며, 기능별로 구분할 경우 DC(Direct Current)/AC(Alternating Current)/Function/실장/신뢰성 테스트 등으로 나눌 수 있습니다.

Wafer Test에는 Fab 공정에서 만들어진 집적된 반도체 회로의 동작 여부를 검증하는 기초적인 테스트 항목들이 많이 포함돼 있습니다. 매우 가느다란 바늘을 칩의 패드에 밀착(Probing)해 전기적인 신호를 인가한 후, 회로를 거쳐 나온 결과인 전기적 특성을 비교∙측정해 최종적으로 판정(Die Sorting)하지요. 여기서 나온 불량 Tr(Transistor)은 우회하거나 양품 Tr로 대체하는데, 이는 레이저빔(Laser Beam)을 이용해 수선(Repair)하여 양품 칩으로 만들어 내는 방식입니다.

Package Test에는 신뢰성 테스트도 포함돼 있지만, 제품을 출하하기 전 최종적으로 전기적인 특성을 검사한다고 하여 파이널 테스트(Final Test)라고 부릅니다. Package Test는 가장 중요한 테스트 공정으로써 모든 테스트 항목이 집중돼 있는데요, 먼저 DC/AC 테스트와 Function 테스트에서 양품(Go)/불량품(No-Go)을 판정한 뒤, 양품들 중 속도별로 그룹을 가르는 Speed Sorting(ex. DRAM)을 진행해 고객이 요구하는 속도를 만족하는 제품을 확보합니다.

마지막으로 Module Test는 PCB에 8~16개의 칩을 탑재한 후 진행한다고 하여 보드 테스트(Board Test)라고도 합니다. Module Test에서는 DC/Function 테스트 후 실장 테스트를 진행, 되도록 고객이 실제 제품을 사용하는 환경에서 칩을 선별할 수 있도록 합니다. 이 과정에서 불량 칩이 발견되면 양품 칩으로 교환해 새롭게 모듈을 구성할 수 있지요.

4. 반도체 테스트(기능 측면): DC Test / AC Test / Function Test

4-1. DC Test

<그림4> DC Test 결과에 대한 판정 및 후속 조치

DC Test(혹은 DC Parametric Test)에서는 개별 Tr의 전기적 특성을 측정하는 EPM(Electrical Parameter Measurement)을 진행해 칩 내 개별 Tr들이 제대로 동작하는지 확인합니다. 구체적으로는 구조물들이 Open 혹은 Short 되었는지, 단자 간 누설전류들이 발생하는지, 여러 가지 종류의 입력/출력 전압들이 Spec 한계 내 있는지 등을 기본적으로 점검하지요.

예를 들어, 와이어(Wire)나 볼(Ball)이 들뜨거나 유실되었는지, 회로의 선이 서로 붙었는지 등 형태적인 불량 여부는 물론이고, 확산과 이온 주입 시의 농도 및 사용 가스의 종류 등 Fab과 Package 공정상의 치명적인 오류까지 전기적으로 검사하고 밝혀낼 수 있어야 합니다. 물론 100% 확인해 내기는 힘들겠지만요.

즉, DC Test는 Tr을 형성하기 위해 수행된 공정상의 매개변수(Process Parameter)가 제대로 진행되었는지를 검토한 결과(Performance)라고 볼 수 있습니다. 따라서 DC 테스트 결과들은 Limit 값(한계치)이 있어 최대치 혹은 최소치가 규정되어 있지요. 전(前)공정을 진행한 각 과정이 Spec-in으로 들어왔는지 여부를 측정한 결과와 미리 설정한 기준 모델을 비교해 차이가 있는지 확인하는 절차라고 볼 수 있습니다.

양산 단계에서 칩이 Spec-Out인 경우, 해당 칩은 Fail로 처리해 다이 본딩(Die Bonding) 시 배제합니다. 그러나 개발 단계일 때는 해당 사항을 피드백(Feedback)해 공정/제품/Technology에 대한 개선 조치를 취합니다(개발 단계에서는 Good Chip이든 Bad Chip이든 상관없이 사용된 Trial Wafer 자체를 Scrap시킴). 또한, 웨이퍼 측정 시 양산 단계일 때는 수율 때문에 TEG(Test Elements Group) 다이 대신 Scribe Line 내 TEG 영역을 만들어 테스트용 패턴(Pattern)으로 Tr/Diode/Capacitance/저항 등을 깔고 해당 부위를 측정합니다.

4-2. Function Test / AC Test

<그림6> 반도체 Electrical Test: DC, AC, Function Test

Function Test에서는 칩의 패드에 여러 종류의 테스트용 패턴(혹은 Vector Data)을 인가해 제공된 Truth Table과 일치되는 결과를 도출하는지를 점검합니다. 이는 단일 소자가 아닌 여러 소자(Column/Row 혹은 Block)를 한꺼번에 점검함으로써 간섭 현상이나 누설전류 등으로 인해 주변 Tr에 어떠한 영향을 끼치는지 등을 확인합니다. 이러한 Function Test에서는 각 제품마다 조건에 맞는 테스트용 패턴을 사용하는데요, 이때 패턴은 ‘0’과 ‘1’을 이용해 다양하게 만들어 셀(Cell)에 쓰기/읽기를 반복합니다.

AC Test는 시간 변수에 따른 입력이 주어졌을 때 Signal의 Set-up Time, Hold Time 등 Time 관련 사항을 주로 점검하고 제품의 동작 시간을 측정합니다. 이를 통해 DRAM 단품 같은 경우, 속도별로 담아 놓는 통(Bin)을 마련해 분리해내는 Bin-Sorting을 하지요.

5. 전기적 파라미터와 공정 변수의 연동

전기적 파라미터(Parameter) 중 가장 중요한 변수는 드레인 전류입니다(그 다음이 문턱전압, 스위칭 타임 순으로 볼 수 있습니다). 예를 들어 드레인 전류와 공정 변수의 연관 관계를 살펴보면, Technology가 고도화(ex. 12nm→7nm)된다는 것은 선폭이 미세화(이는 곧 게이트의 길이/폭과 채널의 길이/폭이 축소되는 형태적 변형의 의미)되고, 그에 따라 소스 단자에서 드레인 단자 사이를 지나가는 전자들의 통로인 채널 단면적을 좁게 형성(길이에 비해 단면적 영향이 더 큼)시켜야 한다는 것을 의미합니다. 이렇게 공정변수가 축소되면 드레인 전류(Id)가 줄어들게 되므로 선폭에 맞춰 드레인 전류의 스펙 한계값(Spec Limit)을 축소하여 재설정해야 하지요. 이와 같이 공정 변수에 맞추어 전기적 파라미터 값을 조정하거나 반대로 값을 줄일 수 없는 일정한 전류값을 유지해야 할 상황이라면 공정변수인 농도변수를 조정하는데, 소스/드레인 단자 형성 시 이온 주입 공정의 양이온 도즈량을 높여야 합니다. 드레인 전류와 마찬가지로 전압에 따른 커패시턴스(Capacitance)값이나 저항값 역시 DC/AC 측정값을 피드백 받아 공정변수를 재조정하거나 스펙의 한계값을 다시 설정합니다. 이렇듯 전기적 파라미터값은 공정 변수와 긴밀히 주고받는 관계로 연결돼 있습니다.

반도체 제품의 테스트는 종류가 매우 다양하며, 관점에 따라서도 여러 가지 방향으로 해석될 수 있습니다. 또한 공정 효율성을 높이고 원가를 낮추기 위해 패키지 레벨 테스트와 웨이퍼 레벨 테스트 항목을 교환하거나 섞기도 하며 그에 맞춰 공정을 변화시키지요. 이런 복합적인 요인들을 맞추기 위해 제품 설계에서 장비 및 공정 방법까지를 포함한 제품 개발 전략이 끊임없이 업데이트됩니다. 반도체 공정 전체와 Technology 및 고객에게 전반적으로 막대한 영향을 끼치는 과정이지요. 오늘 소개된 테스트의 공정 및 기능 측면 이외에도 육안 테스트 및 메카니컬 테스트 등이 있어 필요에 따라 불러내어 제품을 양품화 하는 데 제반 사항들을 최적화합니다.

※ 본 칼럼은 반도체/ICT에 관한 인사이트를 제공하는 외부 전문가 칼럼으로, SK하이닉스의 공식 입장과는 다를 수 있습니다.

반도체 TEST공정

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TEST 공정

#시작하며

반도체 후공정에서 이뤄지는 TEST란, 전기적 특성 검사를 통해 칩의 불량이 다음 공정으로 넘어가지 않도록 방지함으로써 손실을 최소화하는 과정이다. 현재 신뢰성 불량을 사전 차단하고, 수율을 향상시켜 원가 절감에 기여하며, 제품의 연구-개발에 도움을 주는 등, 그 역할이 점차 확대되고 있다.

수많은 제조공정을 거친 반도체 칩은, 마지막 절차인 TEST를 통해 불량품을 선별하게 된다. 반도체의 양품, 불량품 선별을 위해 반도체 제조과정에서는 다양한 TEST가 이루어지는데, 웨이퍼 단계에서 이루어지는 EDS(Elrctrical Die Sorting), 조립공정을 거친 패키지 상태에서 이루어지는 패키징공정(Packaging), 제품 출하 전 소비자의 관점에서 실시되는 품질테스트 등이 있다.

그 중에서, 먼저 첫번째 관문인 EDS공정은 웨이퍼 위에 전자회로를 그리는 FAB 공정(제조/생산)과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키지 공정 사이에 진행된다. 즉 전기적 특성검사를 통해 개별 칩들이 원하는 품질 수준에 도달했는지 확인하는 공정이다.

#TEST 공정

TEST 공정 Flow

출처. SK hynix NEWROOM

수많은 공정을 거쳐 제작된 반도체는, 각 공정이 제대로 수행됐는지에 대한 검증을 위해 크게 Wafer Test, Package Test, Module Test의 테스트를 진행한다. 초창기 Package Test에서만 실시하던 Burn-in 공정의 경우, Wafer TEST공정의 중요성이 높아짐에 따라, 다수 항목이 Wafer Burn-in으로 옮겨졌다. 또한 TEST와 Burn-in을 결합한 TDBI(TEST During Burn-in) 개념으로 정식 테스트를 Burn-in 전후에 실시하는 복합형도 많이 사용하여 공정 시간과 비용을 절약하고 있다. Module TEST에서는 PCB(Printed Circuit Board)와 칩의 연관 간계 점검을 위해 상온에서 DC/Function 테스트를 진행한 뒤, 실제 고객 환경에서 칩을 동작해보는 실장 테스트를 진행한다.

반도체 테스트는 불량칩을 골라내고 앞서 진행한 공정을 점검/개선하는 것이다. 해당 과정에서 다음 공정으로 불량 칩이 넘어가지 못하게 하는 선별률(Screenbility)는 중요한 이슈이다.

* Wafer TEST – 불량 칩이 Packaging되는 것을 방지하여 수익성 향상

* Packaing TEST – 불량 제품이 출하되는 것을 막아 고품질 반도체 납품, 칩 오류 개선을 통한 신뢰성 확보

반도체 TEST 공정 분류

반도체 TEST 종류

반도체 TEST는 공정 Step 관점에서 위 그림과 같이 Wafer TEST, Package TEST, Module TEST로 구분할 수 있다.

* Wafer TEST

– 웨이퍼 상태에서 칩의 정상여부 검사

– 웨이퍼 검사장비에서 수행

* Package TEST

– 반도체 전/후 공정을 마친 후, 최종단계에서 Package의 정상적인 작동 유무를 평가

– Burn-in TEST 장비 사용

* Module TEST

– PCB에 반도체 소자가 여러개 장착되어 있는 Module사이에서 제대로 작동하는지를 검사

– Module 검사장비로 분류

#Wafer(EDS) TEST 공정

Wafer TEST 공정은, FAB과 Package공정의 중간, 즉 칩의 정상 여부를 검사하는 Probe Test 공정에 위치한다.

Wafer(EDS) TEST 공정과 수율

수율이 높은 것은, Wafer 한 장에서 나올 수 있는 정상적인 칩의 수가 많다는 뜻으로서, 설계된 최대 칩 수와 실제 생산된 정상적인 칩 수의 비율로서 정의된다. 수율이 높을수록 생산성이 높기 때문에, 반도체 생산라인에서는 수율을 향상시키는 일이 가장 중요하다.

수율향상 조건

출처. 한국기술교육대학교

Clean Room의 청정도 – 파티클, 온도, 습도의 조건을 잘 유지하는 것이 중요하다.

공정장비의 정확도 – 패턴을 형성하는 공정장비의 정확도

공정조건 – Clean Roon과 공정장비의 정확도가 만족된 경우에는, 공정 조건을 어떻게 설정할 것인지가 중요하다.

세부 공정

* ET TEST(Electrical Test) ⇒ 작동 여부 판별 기능

– 반도체 제조 공정 중 중요한 단위 공정

– 반도체 집적회로(IC) 동작에 필요한 개별 소자들에 대한 직류전압, 전류 등 전기적 특성의 파라미터 테스트

* Wafer Burn-in ⇒ 제품의 신뢰성 향상

– 제품 초기에 발생하는 높은 불량률 제거를 목적으로 한다.

– 웨이퍼에 일정 온도의 열을 가한 후, AC/DC 전압을 가해 제품의 취약, 결함 부분과 같은 잠재적인 불량요인을 발견.

* Pre Laser(Hot & Cold)

– 전기적 신호를 통해 웨이퍼 상의 칩들의 정상여부 판별

– Repair 가능한 칩은 수선공정에서 처리

– 특정 온도에서 발생하는 불량을 위해 상온보다 높거나 낮은 온도에서 진행

* Laser Repair & Post Laser

– 전 공정(Pre Laser)에서 불량이 발생하였지만 Repair가 가능한 칩을 모아 Laser Beam을 통해 수선하는 공정

– Wafer TEST 가운데 중요한 공정이다.

– 수선이 끝난 후 Post Laser 공정을 통해 수선 여부를 재차 검증

#마치며

오늘은 반도체 후공정인 TEST 공정에 대해 공부하였다. 후공정의 기술력은, 생산업체간의 경쟁력과 직결되는 문제로 부상함에 따라 그에대한 중요성은 계속해서 증가하고 있다. 다음 포스팅에서는, 패키징 공정에 대해 알아볼 것이다.

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[반도체 공정] 반도체? 이 정도는 알고 가야지:(8) Wafer test & Packaging 공정

[반도체 공정] 반도체? 이 정도는 알고 가야지:

(8)Wafer test & Packaging 공정

SK하이닉스 취준생이라면 꼭 알아야하는 반도체 공정! 7번째 공정 포스팅에 이어, 마지막 공정 관련 포스팅을 준비했습니다. 함께 알아볼까요?

SK Careers Editor 한수정

여러분 다들 한 번쯤은 남자친구 혹은 여자친구에게 줄 편지와 선물 준비해보신 적 있으시죠? (잠시 눈물을 닦아봅시다..) 반도체를 완성하기 위한 마지막 두 공정이 이와 매우 비슷한데요.

선물을 주기 전에 정성스레 쓴 편지에 오탈자는 없는지, 빠진 선물은 없는지, 케이크의 상태는 양호한지 최종적으로 체크하는 단계 ☞ 반도체 공정에서는 “Wafer TEST공정”

포장은 선물의 완성! 선물을 주기 전 꼼꼼한 포장하는 단계 ☞ 반도체 공정에서는 “Packaging”

# Wafer TEST공정이란?

Wafer TEST공정은 웨이퍼 상태에서 여러가지의 검사를 통해 각 칩들의 상태를 확인하는 과정을 말합니다. 지난 컨텐츠에서 살펴 본 공정과 최종적인 제품의 형태를 갖추는 패키징 공정 사이에 진행되는데요. 이 과정을 통해 웨이퍼 상태의 반도체 칩의 불량여부를 선별할 수 있고, 설계 상의 문제점이나 제조 상의 문제점을 발견해 수정할 수 있습니다. Wafer TEST공정을 거치면 이후 진행되는 패키징 공정 작업의 효율이 높아집니다.

# Wafer TEST공정의 네 단계

Wafer TEST공정은 반도체의 수율을 높이기 위해 반드시 필요한 공정입니다. 수율은 쉽게 말해 웨이퍼 한 장에서 사용할 수 있는 정상적인 칩 수를 계산한 것인데요. 수율이 높을수록 생산성이 높다는 의미가 됩니다. 그러므로 높은 수율을 얻는 것은 매우 중요합니다. 그렇다면 Wafer TEST공정은 크게 어떻게 이루어져 있을까요?

1) EPM & WFBI

EPM은 Electrical Parameter Monitoring의 약자로 반도체 직접회로(IC) 동작에 필요한 개별소자들의 전기적 직류 전압, 전류 특성의 파라미터를 테스트해 잘 작동하는지를 판별하는 과정입니다. WFBI는 Wafer Burn In의 약자로 웨이퍼에 일정 온도의 열을 가한 다음 AC/DC 전압을 가해 잠재적 불량 요인을 찾아내는 과정입니다. 이 두 과정을 통해 제품 초기에 발생하는 높은 불량률을 효과적으로 제거할 수 있습니다.

2) Hot & Cold Test

전기적 신호를 통해 웨이퍼 상의 각 칩들에 이상이 있는지 판정합니다. 이상이 있는 칩 중 수선이 가능한 것들은 수선 공정에서 처리할 수 있도록 정보를 저장하는데요. 이 때, 특정 온도에서 발생하는 불량을 판별하기 위해 높은 온도 혹은 낮은 온도에서 테스트합니다.

3) Repair & Final Test

불량품에 대해서는 Electrical Rupture를 통해 Repair하고, 수선이 끝나면 Final Test를 통해 수선이 제대로 이루어졌는지 검증하고 양품인지 불량품인지를 최종적으로 판단합니다.

4) Inking

말 그대로 ‘잉크를 찍는 공정’입니다. 불량 칩에 특수 잉크를 찍어 육안으로 불량칩을 식별할 수 있도록 하는 과정인데, 과거에는 실제 잉크를 찍었지만 현재는 실제 잉크를 찍지 않고 전산화하여 관리하고 있습니다. 불량으로 전산 처리된 칩은 조립 작업이 진행되지 않으므로 시간이나 경제적 측면에서 긍정적인 효과가 있겠죠? Inking공정까지 마친 웨이퍼는 품질 검사를 거쳐 조립 공정으로 이동됩니다.

# Packaging공정이란?

Packaging공정을 더 세부적으로 나누면, Package공정과 Package Test공정으로 나눌 수 있습니다.반도체 칩은 전자기기의 구성품으로서 필요한 위치에 장착되어야 하기 때문에 적절한 모양으로 패키징되어야 하는데요. 외부의 전원 공급 및 입출력 신호 전류들이 흐를 수 있도록 만들어주어야 하고, 반도체 칩을 외부로부터 보호할 수 있어야 합니다.

# Package공정의 여덟 단계

둥근 웨이퍼가 작은 반도체칩이 되기까지 다양한 과정을 거치게 되는데요. Package공정의 각 과정에 대해 조금 더 알아볼까요?

1) Back Grind

FAB작업이 완료된 두꺼운 웨이퍼를 얇은 다이아몬드 휠로 연마해 얇은 반도체가 될 수 있도록 만드는 과정입니다.

2) Wafer Saw

다수의 칩으로 되어있는 웨이퍼를 낱개의 칩으로 분리합니다.

3) Die Attach

분리한 칩 중에서 양품으로 선별된 개별 칩을 웨이퍼 상에서 떼어내어 외부와 전기적 연결 단자인 Substrate 기판에 접착합니다.

4) Wire Bond

칩의 단자와 Substrate의 단자를 전기적으로 연결해줍니다.

5) Mold

습기, 열, 물리적 충격 등으로부터 보호하기 위해 열경화성 수지인 EMC로 기판을 감싸줍니다.

6) Marking

레이저를 이용해 제품번호를 각인합니다.

7) Solder Ball Mount

PCB와 Package를 전기적으로 연결할 수 있도록 Substrate에 Solder ball을 부착해 아웃단자를 만들어 주는 과정입니다.

8) Saw Singulation

Substrate를 한 개의 개별 제품으로 분리해주는 과정으로, Package의 마지막 단계입니다.

#Package Test의 세 단계

이렇게 완성된 반도체는 최종적으로 Package Test를 거쳐야 하는데요. DRAM의 패키지 테스트 과정을 예시로 살펴볼까요?

1) DC Test & Burn-in

DC Test는 설계 및 조립공정을 거치면서 발생된 불량을 선별하는 공정이며, Burn-in공정은 극한 조건을 가한 후 테스트를 진행함으로써 불량 가능성이 있는 제품을 사전에 검사하는 것입니다. 이 과정을 통과해야 반도체 칩이 들어가는 전자기기가 오류 없이 작동할 수 있는 신뢰성을 갖게 됩니다.

2) Main Test

DC Test Burn in 을 통과한 제품들은 상온, 저온 공간에서 전기적 특성과 기능을 검사 받습니다. 특히 Main test에서는 반도체분야 국제표준인 JEDEC Spec을 맞추기 위한 까다로운 검사가 진행될 뿐만 아니라, 추가로 고객이 요구한 다양한 환경에 맞추어 테스트를 진행합니다. 이 테스트를 통과해야만 Final Test로 가게 됩니다.

3) Final Test

고온에서 반도체의 전기적 특성과 기능을 검사 받는 과정으로 ‘완벽한 반도체’가 되기 위한 마지막 단계입니다.

이번 포스팅을 마지막으로, 지금까지 반도체 공정에 대해 쭉 살펴보았는데요. 면접에서 반도체 공정 관련 질문이 들어온다면 자신 있게 대답하실 수 있었으면 좋겠습니다. SK Careers Journal에서 준비한 반도체 공정 포스트로 SK하이닉스에 더욱더 가까워지는 여러분이 되시길 바랄게요!

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